BC639-16 JSMICRO

Symbol Micros: TBC63916 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 160; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC639-16ZL1G; BC639-16-BP; BC639-16-LGE; BC639-16-CDI;
Parametry
Moc strat: 830mW
Producent: JSMICRO
Obudowa: TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BC639-16 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
750 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6000 0,2400 0,1390 0,1160 0,1090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 830mW
Producent: JSMICRO
Obudowa: TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta