BC807-40,215

Symbol Micros: TBC80740
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40.215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC807-40,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
21554 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3350 0,1290 0,0629 0,0500 0,0478
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC807-40,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
736000 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1006
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP
Opis szczegółowy

Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 45V
Prąd kolektora: 500mA
Moc: 250mW
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD