BC807-40
Symbol Micros:
TBC80740 DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 630; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 310mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-06-24
Ilość szt.: 15000
| Moc strat: | 310mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BC807-40,215
Tranzystor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC807-40,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
64769 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,7150 | 0,3400 | 0,1910 | 0,1450 | 0,1300 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40-TP
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC807-40-TP;
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta:
BC807-40-TP RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
2500 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2610 | 0,0976 | 0,0523 | 0,0390 | 0,0360 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 UMW
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BC807-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2600 | 0,0974 | 0,0521 | 0,0389 | 0,0359 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 SHIKUES
Tranzystor PNP; 630; 310mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BC807-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3180 | 0,1220 | 0,0598 | 0,0475 | 0,0454 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 SLKOR
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BC807-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2460 | 0,0920 | 0,0492 | 0,0368 | 0,0339 |
Sposób pakowania: 3000/15000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 GALAXY
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BC807-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3250 | 0,1280 | 0,0748 | 0,0547 | 0,0500 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 HXY MOSFET
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
BC807-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2700 | 0,1010 | 0,0542 | 0,0404 | 0,0373 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 MLCCBASE
Tranzystor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BC807-40 JSMICRO
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BC807-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3500 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2790 | 0,1080 | 0,0525 | 0,0418 | 0,0399 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 JGSEMI
Tranzystor PNP; 630; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
BC807-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
13850 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2390 | 0,0892 | 0,0478 | 0,0357 | 0,0329 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 LMSEMI
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Producent:
LMSEMI
Symbol producenta:
BC807-40 RoHS 5C
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
9000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2310 | 0,0865 | 0,0463 | 0,0346 | 0,0319 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)