BC847ALT1G smd ONS

Symbol Micros: TBC847a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 220; 225mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847ALT1G; BC847AMTF; BC847A RF; BC847A-TP; BC847AE6327HTSA1; BC847A SMD ONS;
Parametry
Moc strat: 225mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC847ALT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2050 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4260 0,1680 0,0980 0,0717 0,0655
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 225mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN