BC847A HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC847a HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 220; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847A,215; BC847A,235; BC847ALT1G; BC847AE6327HTSA1; BC847A RFG; BC847A-7-F; BC847A-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: HXY MOSFET
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BC847A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,2170 0,0803 0,0425 0,0314 0,0299
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Moc strat: 200mW
Producent: HXY MOSFET
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN