BC847B,215 Nexperia, NXP; tranzystor bipolarny
Moc strat: | 250mW |
Producent: | NXP |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2640 | 0,1020 | 0,0496 | 0,0395 | 0,0377 |
ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0377 |
ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0377 |
Moc strat: | 250mW |
Producent: | NXP |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |
BC847B to uniwersalny tranzystor bipolarny NPN charakteryzujący się maksymalnym napięciem pomiędzy kolektorem a emiterem (Vce) wynoszącym 45V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) na poziomie 100mA. Jego wzmocnienie prądowe (hFE) mieści się w zakresie od 200 do 450, co oznacza, że potrafi znacząco zwiększyć sygnał elektryczny, co jest przydatne we wzmacniaczach lub układach przełączających. Dzięki maksymalnej częstotliwości granicznej wynoszącej 100MHz, tranzystor BC847B sprawdzi się w układach pracujących z wyższymi częstotliwościami, takimi jak nadajniki czy odbiorniki radiowe.
Tranzystor BC847B oferuje także niewielkie straty mocy dzięki niskiemu napięciu nasycenia (Vce(sat)), a obudowa SOT23 zapewnia montaż powierzchniowy (SMD), co ułatwia integrację w projektach o dużym zagęszczeniu komponentów.
Dzięki solidnym parametrom, takim jak wysoka niezawodność i wszechstronność, BC847B znajduje zastosowanie w układach wzmacniaczy, przełączników, a także w aplikacjach cyfrowych i analogowych, gdzie wymagane są kompaktowe i wydajne komponenty elektroniczne.
Producent: NXP Semiconductors
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 45V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 250mW
Obudowa: SOT23
Wzmocnienie tranzystora: 290
Montaż: SMD