BC847B JGSEMI
Symbol Micros:
TBC847b JGS
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 200mW, 45V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847B,215; BC847B,235; BC847BLT1G; BC847BLT3G; BC847BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC847B RFG; BC847B-7-F; BC847B-13-F; BC847B-TP;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | JGSEMI |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: JG Technology
Symbol producenta: BC847B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
17000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1490 | 0,0544 | 0,0288 | 0,0215 | 0,0199 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | JGSEMI |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |