BC856 SOT23 NEXPERIA
Symbol Micros:
TBC856
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846; BC856,215; BC856-CDI; BC856.215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC856,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
7490 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4080 | 0,1610 | 0,0940 | 0,0687 | 0,0628 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC856,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
138000 szt.
| ilość szt. | 15000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0628 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |