BC856B,215 NEXPERIA
Symbol Micros:
TBC856b
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BLT1G; BC856B,215; BC856B RFG; BC856BLT3G; BC856B-7-F; BC856B,235; BC856B-13-F; BC856B.215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-08-28
Ilość szt.: 30000
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |