BC856B,215 NEXPERIA

Symbol Micros: TBC856b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BLT1G; BC856B,215; BC856B RFG; BC856BLT3G; BC856B-7-F; BC856B,235; BC856B-13-F; BC856B.215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: NXP Symbol producenta: BC856B,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3634 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5680 0,2610 0,1420 0,1060 0,0947
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-08-28
Ilość szt.: 30000
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP