BC856B DIOTEC

Symbol Micros: TBC856b DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC856B-DIO;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC856B RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1600 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,2790 0,1070 0,0523 0,0415 0,0399
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP