BC856B
Symbol Micros:
TBC856b DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC856B-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC856B
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
12520 szt.
| ilość szt. | 20+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0824 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC856B
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
248700 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0375 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-05-15
Ilość szt.: 3000
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BC856B,215 NEXPERIA
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BLT1G; BC856B,215; BC856B RFG; BC856BLT3G; BC856B-7-F; BC856B,235; BC856B-13-F; BC856B.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC856B,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
9634 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5680 | 0,2610 | 0,1420 | 0,1060 | 0,0947 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BC856B,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
1150000 szt.
| Ilość szt. | 50000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0947 |
Sposób pakowania: 10000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BC856B,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
861000 szt.
| Ilość szt. | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0947 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC856B UMW
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215, BC856B,235, BC856BLT1G, BC856BLT3G, BC856B RFG, BC856B-7-F, BC856B-13-F, BC856B-TP;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BC856B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2250 | 0,0841 | 0,0450 | 0,0336 | 0,0310 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC856B SLKOR
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BC856B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2170 | 0,0811 | 0,0434 | 0,0324 | 0,0299 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC856B GALAXY
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BC856B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2540 | 0,0952 | 0,0510 | 0,0381 | 0,0351 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC856B HXY MOSFET
Tranzystor PNP; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
BC856B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2500 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1810 | 0,0678 | 0,0363 | 0,0271 | 0,0250 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)