BC856C SOT-23 MOT
Symbol Micros:
TBC856c MOT
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | MOT |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | MOT |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BC856C
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC856C-DIO;
Producent:
DIOTEC
Symbol producenta:
BC856C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
1400 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2800 | 0,1080 | 0,0527 | 0,0419 | 0,0400 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIOTEC
Symbol producenta:
BC856C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
27000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0400 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)