BC857,215

Symbol Micros: TBC857
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847; BC857,215; BC857 SOT23;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC857,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
867000 szt.
ilość szt. 15000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0391
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP