BC857BS-7-F
Symbol Micros:
TBC857BS-7-F Diodes
Obudowa: SOT363
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xPNP |
Odpowiedniki
BC857BS,115
Tranzystor 2xPNP; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BC857BS,115
Obudowa dokładna:
SOT23-6
Stan magazynowy
2189000 szt.
| Ilość szt. | 18000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1130 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BC857BS,115
Obudowa dokładna:
SOT23-6
Stan magazynowy
318000 szt.
| Ilość szt. | 6000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1130 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BC857BS,115
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
Stan magazynowy
4470 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,6220 | 0,2950 | 0,1660 | 0,1260 | 0,1130 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857BS-TP
PNP SIGNAL TRANSISTOR, SOT-363
Pozycja dostępna na zamówienie
BC857BS JGSEMI
Tranzystor 2xPNP; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F, BC857BS-13-F; BC857BS-TP; BC857BS_R1_00001;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
BC857BS RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
Stan magazynowy
440 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3490 | 0,1350 | 0,0657 | 0,0522 | 0,0499 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)