BC857BS JGSEMI
Symbol Micros:
TBC857bs JGS
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xPNP; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F, BC857BS-13-F; BC857BS-TP; BC857BS_R1_00001;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | JGSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | JGSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xPNP |