BC858A SHIKUES

Symbol Micros: TBC858a SHK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 220; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858ALT1G; BC858AE6327HTSA1; BC858A RFG; BC858A-7-F; BC858A-TP;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: SHIKUES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: SHIKUES Symbol producenta: BC858A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2440 0,0914 0,0489 0,0365 0,0337
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: SHIKUES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta