MOT858C SOT23-3 MOT

Symbol Micros: TBC858b MOT
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; PODOBNY DO: BC856B; MOT858C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: MOT
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: MOT- Symbol producenta: BC858B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1880 0,0703 0,0376 0,0281 0,0259
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: MOT
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP