BC858C CHIPNOBO

Symbol Micros: TBC858c CNB
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: CHIPNOBO
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: CHIPNOBO Symbol producenta: BC858C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2460 0,0920 0,0492 0,0368 0,0339
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: CHIPNOBO
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP