BCP53-16 JGSEMI

Symbol Micros: TBCP5316 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor PNP; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP53-16,115; BCP53-16,135; BCP53-16T1G; BCP53-16T3G; BCP5316H6327XTSA1; BCP5316TA; BCP5316TC; BCP53-16-TP;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Producent: JGSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: JGSEMI Symbol producenta: BCP53-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7650 0,3060 0,1780 0,1480 0,1390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,5W
Producent: JGSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP