BCP53-16,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TBCP5316 NXP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor PNP; 250; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; BCP53-16,115; BCP53-16,135; BCP53-16.115;
Parametry
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 145MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: NXP Symbol producenta: BCP53-16,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2490 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2200 1,3500 1,0400 0,9340 0,8890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 145MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP