BCP56T1 smd ONS

Symbol Micros: TBCP56t1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56T1G; BCP56,115; BCP56TA;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BCP56T1G RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
4914 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9800 0,5360 0,3520 0,3040 0,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/6000
Moc strat: 1,5W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN