BCP56T1 smd ONS
Symbol Micros:
TBCP56t1
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56T1G; BCP56,115; BCP56TA;
Parametry
| Moc strat: | 1,5W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT223 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BCP56T1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
414 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3600 | 0,7210 | 0,5590 | 0,5160 | 0,4940 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BCP56T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1197 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BCP56T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
406000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4940 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-31
Ilość szt.: 2000
| Moc strat: | 1,5W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT223 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |