BCP69 JGSEMI

Symbol Micros: TBCP69 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor PNP; 375; 1,35W, 20V; 1A; 40MHz, -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP69,115; BCP69,135; BCP69T1G; BCP69E6327;
Parametry
Moc strat: 1,35W
Producent: JGSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: JGSEMI Symbol producenta: BCP69 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5610 0,3340 0,2770 0,2490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,35W
Producent: JGSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP