BCP69T1G

Symbol Micros: TBCP69 ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223-4
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parametry
Moc strat: 1,5W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT223-4
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 60MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BCP69T1G RoHS Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8100 1,0000 0,7860 0,7280 0,6980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,5W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT223-4
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 60MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta