BCV47E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCV47
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 10000; 360mW; 60V; 500mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SP000010866; BCV47E6393; BCV47E6433HTMA1; BCV47E6327; BCV47TA; BCV47E6327HTSA1; BCV47E6327XT; SP000010866; BCV 47 E6327; BCV47;
Parametry
Moc strat: 360mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCV47E6327HTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9960 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9540 0,4840 0,2930 0,2320 0,2120
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BCV47E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
18400 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2342
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 360mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta