BCV47 SOT23 FUXINSEMI

Symbol Micros: TBCV47 FUX
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 10000; 200mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; BCV47; SP000010866; BCV47E6393; BCV47E6433HTMA1; BCV47E6327; BCV47TA; BCV47E6327HTSA1; BCV47E6327XT;
Parametry
Moc strat: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: FUXINSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 2000
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: FUXINSEMI Symbol producenta: BCV47 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4910 0,2250 0,1230 0,0917 0,0819
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: FUXINSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 2000
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta