BCX56-16 SOT89 LGE

Symbol Micros: TBCX5616 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
NPN 100nA 80V 1W 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA -65°C~150°C@(Tj) SOT-89 BCX56-16-LGE;
Parametry
Moc strat: 1W
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN
Producent: LGE Symbol producenta: BCX56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
5300 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,3920 0,2270 0,1880 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1W
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN