BD680

Symbol Micros: TBD680
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: BD680 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
240 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1800 1,3200 1,0100 0,9140 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: BD680 Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. 900+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BD680 Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnetrzny:
63272 szt.
ilość szt. 850+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP