BD680 JSMICRO

Symbol Micros: TBD680 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor Darlington PNP; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD680-ST; BD680G;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: JSMICRO
Obudowa: TO126
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BD680 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6550 0,5080 0,4690 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BD680 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1900 0,7560 0,5300 0,4610 0,4310
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 40W
Producent: JSMICRO
Obudowa: TO126
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: Darlington PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta