BD681 JSMICRO

Symbol Micros: TBD681 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: JSMICRO
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk  
Stan magazynowy:
65 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6550 0,5080 0,4690 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 40W
Producent: JSMICRO
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: Darlington NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta