BD681 JSMICRO

Symbol Micros: TBD681 JSM

Obudowa: TO126

Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;

Parametry

Moc strat:	40W
Obudowa:	TO126
Producent:	JSMICRO
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	750
Maksymalny prąd kolektora:	4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C

Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk karta katalogowa

Stan magazynowy:

65 szt.

ilość szt.	3+	20+	100+	300+	1000+
cena netto (PLN)	1,2300	0,6550	0,5080	0,4690	0,4490

Moc strat:	40W
Obudowa:	TO126
Producent:	JSMICRO
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	750
Maksymalny prąd kolektora:	4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	Darlington NPN

Ilość szt.	3+	10+	50+	300+	2000+
cena netto (PLN)	1,3600	0,8720	0,6150	0,5230	0,4950

Ilość szt.	3+	10+	50+	300+	2000+
cena netto (PLN)	1,3600	0,8720	0,6150	0,5230	0,4950

Ilość szt.	3+	10+	50+	300+	2000+
cena netto (PLN)	1,3600	0,8720	0,6150	0,5230	0,4950

Ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,3200	1,4100	1,0800	0,9760	0,9290

Ilość szt.	850+
cena netto (PLN)	0,9290