BD681

Symbol Micros: TBD681sgs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD683; BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Częstotliwość graniczna: 1MHz
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ST Symbol producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
1590 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9700 1,1900 0,9180 0,8280 0,7880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Częstotliwość graniczna: 1MHz
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN