BD681
Symbol Micros:
TBD681sgs
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD683; BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;
Parametry
| Moc strat: | 40W |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Obudowa: | TO126 |
| Częstotliwość graniczna: | 1MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ST
Symbol producenta: BD681 RoHS
Obudowa dokładna: TO126
karta katalogowa
Stan magazynowy:
910 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2500 | 1,3500 | 1,0300 | 0,9300 | 0,8980 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD681
Obudowa dokładna: TO126
Magazyn zewnętrzny:
348076 szt.
| ilość szt. | 1050+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8980 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD681
Obudowa dokładna: TO126
Magazyn zewnętrzny:
52836 szt.
| ilość szt. | 3100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8980 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD681
Obudowa dokładna: TO126
Magazyn zewnętrzny:
133650 szt.
| ilość szt. | 1050+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8980 |
| Moc strat: | 40W |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Obudowa: | TO126 |
| Częstotliwość graniczna: | 1MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |