BD912 JSMICRO

Symbol Micros: TBD912 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 90W
Producent: JSMICRO
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BD912 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5300 1,2100 1,1000 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 90W
Producent: JSMICRO
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP