BD912 sgs

Symbol Micros: TBD912sgs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 90W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ST Symbol producenta: BD912 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
206 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,7700 2,3700 1,8600 1,6900 1,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Producent: ST Symbol producenta: BD912 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
58791 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BD912 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
111350 szt.
ilość szt. 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 90W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta