BD912 sgs
Symbol Micros:
TBD912sgs
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 90W |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | TO220 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ST
Symbol producenta: BD912 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
43 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 450+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5700 | 2,2400 | 1,7600 | 1,6000 | 1,5500 |
| Moc strat: | 90W |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | TO220 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BD912
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBD912; BD 912;
Producent:
CDIL
Symbol producenta:
BD912 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
725 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,9400 | 1,8700 | 1,4700 | 1,3400 | 1,2800 |
Sposób pakowania: 50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
BD912 JSMICRO
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BD912 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
25 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,4200 | 1,5300 | 1,2100 | 1,1000 | 1,0500 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)