BDX53C

Symbol Micros: TBDX53c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 750; 60W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 60W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: BDX53C RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
422 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3100 1,4000 1,0700 0,9690 0,9220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: ST Symbol producenta: BDX53C Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
25550 szt.
ilość szt. 650+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,9220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BDX53C Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
29000 szt.
ilość szt. 1750+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,9220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 60W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta