BDX53CG ONS

Symbol Micros: TBDX53cg ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; Bipolar; 750; 100V; 5V; 8A; 65W; -65°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 65W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: ONSEMI
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BDX53CG RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,4100 3,2400 2,6000 2,2300 2,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 65W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: ONSEMI
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: Darlington NPN