BSS138BK,215 NEXPERIA
Symbol Micros:
TBSS138bk
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 360mA |
| Maksymalna tracona moc: | 420mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138BK,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
15000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8250 | 0,3920 | 0,2200 | 0,1670 | 0,1500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 360mA |
| Maksymalna tracona moc: | 420mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS138BK JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
BSS138BK RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3580 | 0,1410 | 0,0823 | 0,0602 | 0,0550 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)