BSS138BK,215 NEXPERIA

Symbol Micros: TBSS138bk
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 360mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: BSS138BK,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
7329 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3300 0,7320 0,5760 0,5330 0,5110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/99000
Rezystancja otwartego kanału: 6,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 360mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD