BSS138BK,215 NEXPERIA

Symbol Micros: TBSS138bk
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 360mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: BSS138BK,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9900 0,5020 0,3040 0,2410 0,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS138BK,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9900 0,5020 0,3040 0,2410 0,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS138BK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
66000 szt.
ilość szt. 15000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-03-30
Ilość szt.: 6000
Rezystancja otwartego kanału: 6,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 360mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD