BSS138BK JGSEMI
Symbol Micros:
TBSS138bk JGS
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS138BK,215 NEXPERIA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BSS138BK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9900 | 0,5020 | 0,3040 | 0,2410 | 0,2200 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS138BK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
66000 szt.
| Ilość szt. | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2200 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS138BK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9900 | 0,5020 | 0,3040 | 0,2410 | 0,2200 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)