BSS138WH6327XTSA1 Infineon
Symbol Micros:
TBSS138w
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-TP;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 280mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS138WH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1914 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS138WH6433XTMA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 280mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |