BSS138W Fairchild ONS
Symbol Micros:
TBSS138w FAI
Obudowa: SOT323
N-MOSFET 50V 0.21A 3.5mΩ 340mW
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 340mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 210mA |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 340mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 210mA |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS138PW,115
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BSS138PW,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
Stan magazynowy
18000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9540 | 0,4840 | 0,2930 | 0,2320 | 0,2120 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138WH6327XTSA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-TP;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS138WH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
Stan magazynowy
1859 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS138WH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1600 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138W-7-F Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138W-7-F;
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS138W-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
Stan magazynowy
2230 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,7150 | 0,3400 | 0,1910 | 0,1450 | 0,1300 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138PW JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
BSS138PW RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4030 | 0,1590 | 0,0928 | 0,0679 | 0,0620 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138PW JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BSS138PW RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4030 | 0,1590 | 0,0928 | 0,0679 | 0,0620 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138W LMSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106;
Producent:
LMSEMI
Symbol producenta:
BSS138W RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3140 | 0,1200 | 0,0681 | 0,0492 | 0,0449 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)