BSS84AK CHIPNOBO
Symbol Micros:
TBSS84ak CNB
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; AEC-Q101 Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK-TP;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS84AK,215
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 7,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS84AK,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
351000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0758 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS84AK,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4550 | 0,2090 | 0,1140 | 0,0849 | 0,0758 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)