FDV301N
Symbol Micros:
TFDV301n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N-NB9V008;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
40140 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
193 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
833 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
FDV301N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
FDV301N RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
800 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,7100 | 0,2840 | 0,1650 | 0,1380 | 0,1290 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)