FDV301N
Symbol Micros:
TFDV301n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N-NB9V008;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
23540 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
833 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
193 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV301N
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
31620000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |