FDV301N

Symbol Micros: TFDV301n

Obudowa: SOT23

Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N-NB9V008;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	9Ohm
Maksymalny prąd drenu:	220mA
Maksymalna tracona moc:	350mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	25V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

20540 szt.

ilość szt.	5+	30+	200+	1047+	5235+
cena netto (PLN)	0,5500	0,2200	0,1280	0,1060	0,1000

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

833 szt.

ilość szt.	5+	30+	200+	1047+	5235+
cena netto (PLN)	0,5500	0,2200	0,1280	0,1060	0,1000

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

193 szt.

ilość szt.	5+	30+	200+	1047+	5235+
cena netto (PLN)	0,5500	0,2200	0,1280	0,1060	0,1000

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

3561000 szt.

ilość szt.	21000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	0,1000

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

507000 szt.

ilość szt.	9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	0,1000

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

10000 szt.

ilość szt.	100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	0,1705

Rezystancja otwartego kanału:	9Ohm
Maksymalny prąd drenu:	220mA
Maksymalna tracona moc:	350mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	25V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	8V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	30+	200+	1000+	5000+
cena netto (PLN)	0,6330	0,2530	0,1470	0,1230	0,1150