FDV301N

Symbol Micros: TFDV301n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N-NB9V008;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9Ohm
Maksymalna tracona moc: 350mW
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
833 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1047+ 5235+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2200 0,1280 0,1060 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1953
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
193 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1047+ 5235+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2200 0,1280 0,1060 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1047
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
20540 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1047+ 5235+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2200 0,1280 0,1060 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 9Ohm
Maksymalna tracona moc: 350mW
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta