FDV301N UMW

Symbol Micros: TFDV301n UMW
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT23
Producent: UMW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: UMW Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
600 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6330 0,2530 0,1470 0,1230 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT23
Producent: UMW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta