FDV303N
Symbol Micros:
TFDV303n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 800mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 680mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDV303N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
6201 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6600 | 0,3140 | 0,1760 | 0,1340 | 0,1200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 680mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
FDV303N SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 80mOhm; 2A; Odpowiednik: FDV303N Onsemi;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
SK303N RoHS .303
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,7590 | 0,3610 | 0,2030 | 0,1540 | 0,1380 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
FDV303N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV303N Onsemi;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
FDV303N RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8140 | 0,3260 | 0,1890 | 0,1580 | 0,1480 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)