FDV303N

Name: TFDV303n TFDV303n
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDV303n
Price: 0.164000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDV303n

Obudowa: SOT23

Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 800mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	800mOhm
Maksymalny prąd drenu:	680mA
Maksymalna tracona moc:	350mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	25V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV303N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

241 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,9020	0,4290	0,2410	0,1830	0,1640

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV303N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

1415791 szt.

ilość szt.	6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,1640

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV303N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

744000 szt.

ilość szt.	6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,1640

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV303N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

2967000 szt.

ilość szt.	15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,1640

Towar w drodze

Planowany termin:
2025-12-31

Ilość szt.: 6000

Rezystancja otwartego kanału:	800mOhm
Maksymalny prąd drenu:	680mA
Maksymalna tracona moc:	350mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	25V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	8V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	30+	200+	1000+	5000+
cena netto (PLN)	0,8140	0,3260	0,1890	0,1580	0,1480