FGH40N60SMD

Symbol Micros: TFGH40N60smd
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH40N60SMD-F085 AUTOMOTIVE; FGH40N60SMD_F085;
Parametry
Ładunek bramki: 119nC
Maksymalna moc rozpraszana: 349W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FGH40N60SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 90+ 180+
cena netto (PLN) 11,6200 9,5700 8,6500 8,4000 8,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FGH40N60SMD Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
63318 szt.
ilość szt. 60+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 9,1641
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Ładunek bramki: 119nC
Maksymalna moc rozpraszana: 349W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT