FGH40N60SMD

Symbol Micros: TFGH40N60smd
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH40N60SMD-F085 AUTOMOTIVE; FGH40N60SMD_F085;
Parametry
Ładunek bramki: 119nC
Maksymalna moc rozpraszana: 349W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH40N60SMD Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
47482 szt.
ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,8791
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH40N60SMD Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
210 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,4018
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-10-25
Ilość szt.: 30
Ładunek bramki: 119nC
Maksymalna moc rozpraszana: 349W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT