IRF1310

Symbol Micros: TIRF1310
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 42A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1310NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,2300 3,4800 2,6900 2,6000 2,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1310NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
50 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,7481
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1310NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
70 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,3125
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 42A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT