IRF1310
Symbol Micros:
TIRF1310
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 42A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF1310NPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,3000 | 4,0500 | 3,3500 | 2,9400 | 2,7900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1310NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
210 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,7900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 42A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |