IRF1310NPBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRF1310 MOS
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF; SP001553864;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF1310
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRF1310NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
40 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 5,3000 | 4,0500 | 3,3500 | 2,9400 | 2,7900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)