IRF1407

Symbol Micros: TIRF1407
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1407PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 130A
Maksymalna tracona moc: 330W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1407PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
cena netto (PLN) 6,4400 4,5000 3,8200 3,5900 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/300
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1407PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
550 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1407PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
900 szt.
ilość szt. 200+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,4751
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1407PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
230 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 7,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 130A
Maksymalna tracona moc: 330W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT