IRF1407PBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRF1407 MOS
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1407PBF; SP001564238;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 192W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 192W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF1407
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1407PBF;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRF1407PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
90 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
| cena netto (PLN) | 6,4400 | 4,5000 | 3,5900 | 3,4400 | 3,3900 |
Sposób pakowania: 50/150
Ilość (wielokrotność 1)
IRF1407PBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1407PBF; SP001564238;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRF1407PBF-HXY RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
25 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 5,4000 | 4,1200 | 3,4100 | 2,9900 | 2,8400 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)