IRF3205PBF
Symbol Micros:
TIRF3205
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 110A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF3205PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 300+ | 600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5800 | 3,0500 | 2,3600 | 2,2100 | 2,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3205PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
653 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7358 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3205PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
10804 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3205PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3280 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 110A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |