D3205 DONGHAI
Symbol Micros:
TIRF3205 DH
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 204W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Donghai |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 204W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Donghai |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF3205
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF3205PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
421 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 4,9200 | 3,7600 | 3,1100 | 2,7200 | 2,5900 |
Sposób pakowania: 50/1000
Ilość (wielokrotność 1)