IRF3710S

Symbol Micros: TIRF3710s

Obudowa: TO263 (D2PAK)

Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710SPBF; IRF3710STRLPBF; IRF3710SPBF-GURT;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	23mOhm
Maksymalna tracona moc:	200W
Maksymalny prąd drenu:	57A
Obudowa:	TO263 (D2PAK)
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3710STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)

Stan magazynowy:

314 szt.

ilość szt.	1+	5+	20+	100+	400+
cena netto (PLN)	4,9200	3,4500	2,9300	2,6800	2,5900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3710STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)

Magazyn zewnętrzny:

4000 szt.

ilość szt.	800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	3,0245

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3710STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)

Magazyn zewnętrzny:

2380 szt.

ilość szt.	10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	3,2915

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3710STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)

Magazyn zewnętrzny:

8800 szt.

ilość szt.	800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	3,3112

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3710STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)

Magazyn zewnętrzny:

42400 szt.

ilość szt.	800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	3,0994

Rezystancja otwartego kanału:	23mOhm
Maksymalna tracona moc:	200W
Maksymalny prąd drenu:	57A
Obudowa:	TO263 (D2PAK)
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	SMD