IRF3710S
Symbol Micros:
TIRF3710s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710SPBF; IRF3710STRLPBF; IRF3710SPBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 57A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710STRLPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
Stan magazynowy:
504 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4000 | 4,4800 | 3,8100 | 3,4800 | 3,3700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
3200 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
370 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 57A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |