IRF3710STRL UMW
Symbol Micros:
TIRF3710s UMW
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710SPBF; IRF3710STRLPBF; IRF3710STRRPBF; SP001559596; SP001553984; SP001561740;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRF3710S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710SPBF; IRF3710STRLPBF; IRF3710SPBF-GURT;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF3710STRLPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
Stan magazynowy
394 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 6,4000 | 4,4800 | 3,8100 | 3,4800 | 3,3700 |
Sposób pakowania: 800
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF3710STRLPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy
38400 szt.
| Ilość szt. | 800+ |
| cena netto (PLN) | 3,3700 |
Sposób pakowania: 800
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF3710STRLPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy
1460 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 3,3700 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)